Transições ópticas em poços quânticos múltiplos com diferentes orientações cristalográficas

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dataload.collectionmapped02 - Mestrado - Físicapt_BR
dataload.filenamenourau560.pdfpt_BR
dataload.handlemapped123456789/52pt_BR
dataload.idpergamum118746pt_BR
dataload.idvirtuanourauvtls000127896pt_BR
dataload.idvirtuapergamumvtls000127896pt_BR
dataload.idvirtuapergamum.sameurlnourauSIMpt_BR
dataload.linknourauhttp://www.bibliotecadigital.uel.br/document/?code=vtls000127896pt_BR
dataload.linknourau.regularSIMpt_BR
dataload.linknourau.retificadohttp://www.bibliotecadigital.uel.br/document/?code=vtls000127896pt_BR
dataload.linknourau.size64.00pt_BR
dc.contributor.advisorDias, Ivan Frederico Lupiano [Orientador]pt_BR
dc.contributor.authorTeodoro, Márcio Daldinpt_BR
dc.contributor.bancaRibeiro, Evaldopt_BR
dc.contributor.bancaDuarte, José Leonilpt_BR
dc.contributor.coadvisorBorrero, Pedro Pablo Gonzáles [Coorientador]pt_BR
dc.coverage.spatialLondrinapt_BR
dc.date.accessioned2024-05-01T12:52:23Z
dc.date.available2024-05-01T12:52:23Z
dc.date.created2008.00pt_BR
dc.date.defesa19.02.2008pt_BR
dc.description.abstractResumo: Neste trabalho estudamos as transições ópticas em poços quânticos múltiplos de GaAs/AlxGa1-xAs, crescidos por epitaxia por feixe molecular sobre os substratos de GaAs orientados nas direções [1], [311]A e [311]B Os parâmetros estruturais dos poços quânticos foram determinados por Difratometria de Alta Resolução de Raios-X O estudo das transições ópticas foi realizado pela técnica de fotoluminescência (PL) Através dos resultados obtidos, identificamos os picos dos espectros e analisamos os seus comportamentos em função da temperatura e intensidade de excitação Utilizando baixas intensidades de excitação, analisamos no intervalo de temperatura de 12 a 12 K o comportamento de éxcitons localizados em flutuações do potencial de confinamento das heteroestruturas A dependência da energia do pico da PL com a temperatura foi ajustada através da expressão proposta por Pässler [Phys Status Solidi B, 2, 155 (1997)] subtraído do termo T k / B 2 s que considera a presença das flutuações de potencial Verificamos através da forma de linha, da largura de linha à meia altura dos espectros de PL, dos valores de s obtidos dos ajustes dos pontos experimentais e dos valores máximos do blueshift do pico de PL, que as amostras crescidas nas direções [311]A/B possuem maiores flutuações de potencial em relação às crescidas na direção [1], indicando um maior grau das corrugações superficiais dos MQWs crescidos nas direções [311] A variação do gap de energia com a temperatura foi investigada com intensidades de excitação altas o suficiente para blindar as flutuações de potencial, empregando ajustes pelos modelos de Varshni, Viña, Pässler-p e Pässler-? Os parâmetros de ajustes dos diferentes modelos foram analisados em função da orientação do substrato e não apresentaram variações significativaspt_BR
dc.description.abstractother1Abstract: In this work, the optical emission properties of (1), (311)A and (311)B GaAs/AlGaAs multiquantum wells (MQWs) grown by molecular beam epitaxy have been studied The structural parameters were determined by High Resolution X-Ray Diffractometry The optical transitions of these structures have been studied by means of the photoluminescence technique (PL) The study was carried out as a function of temperature, combined with the excitation intensity variation Using low excitation intensity, in the temperature range of 12 – 12 K, the behavior of exciton localized in the confinement potential fluctuations of the heterostructures has been analyzed The PL peak-energy dependence with temperature was adjusted by the expression proposed by Pässler [Phys Status Solidi B, 2, 155 (1997)] subtracting the term 2 / E B k T s , which considers the presence of potential fluctuations It can be verified, from the PL line shape, the full width at half maximum of PL spectra, the E s values obtained from the adjustment of experimental points and the blueshift maximum values, that the samples grown in [311]A/B directions have larger potential fluctuation amplitude than the sample grown in [1] direction This indicates a larger degree of the superficial corrugations for the MQWs grown in [311] direction The gap energy as a function of temperature has been investigated, keeping the excitation intensity sufficiently high screening the potential fluctuations, using fit by Varshni, Viña, Pässler-p and Pässler- ? models The fitting parameters from the different adjusts were analyzed in function of the substrate orientation and have shown no significant variationspt_BR
dc.description.notesDissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Londrina, Centro de Ciências Exatas, Programa de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.identifier.urihttps://repositorio.uel.br/handle/123456789/10909
dc.languagepor
dc.relation.coursedegreeMestradopt_BR
dc.relation.coursenameFísicapt_BR
dc.relation.departamentCentro de Ciências Exataspt_BR
dc.relation.ppgnamePrograma de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.subjectFísica do estado sólidopt_BR
dc.subjectÓticapt_BR
dc.subjectSemicondutorespt_BR
dc.subjectPropriedades óticaspt_BR
dc.subjectSolid state physicspt_BR
dc.subjectOpticspt_BR
dc.subjectSemiconductors - Optical propertiespt_BR
dc.titleTransições ópticas em poços quânticos múltiplos com diferentes orientações cristalográficaspt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR

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