Transições ópticas em poços quânticos múltiplos com diferentes orientações cristalográficas
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Resumo: Neste trabalho estudamos as transições ópticas em poços quânticos múltiplos de GaAs/AlxGa1-xAs, crescidos por epitaxia por feixe molecular sobre os substratos de GaAs orientados nas direções [1], [311]A e [311]B Os parâmetros estruturais dos poços quânticos foram determinados por Difratometria de Alta Resolução de Raios-X O estudo das transições ópticas foi realizado pela técnica de fotoluminescência (PL) Através dos resultados obtidos, identificamos os picos dos espectros e analisamos os seus comportamentos em função da temperatura e intensidade de excitação Utilizando baixas intensidades de excitação, analisamos no intervalo de temperatura de 12 a 12 K o comportamento de éxcitons localizados em flutuações do potencial de confinamento das heteroestruturas A dependência da energia do pico da PL com a temperatura foi ajustada através da expressão proposta por Pässler [Phys Status Solidi B, 2, 155 (1997)] subtraído do termo T k / B 2 s que considera a presença das flutuações de potencial Verificamos através da forma de linha, da largura de linha à meia altura dos espectros de PL, dos valores de s obtidos dos ajustes dos pontos experimentais e dos valores máximos do blueshift do pico de PL, que as amostras crescidas nas direções [311]A/B possuem maiores flutuações de potencial em relação às crescidas na direção [1], indicando um maior grau das corrugações superficiais dos MQWs crescidos nas direções [311] A variação do gap de energia com a temperatura foi investigada com intensidades de excitação altas o suficiente para blindar as flutuações de potencial, empregando ajustes pelos modelos de Varshni, Viña, Pässler-p e Pässler-? Os parâmetros de ajustes dos diferentes modelos foram analisados em função da orientação do substrato e não apresentaram variações significativas
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Palavras-chave
Física do estado sólido, Ótica, Semicondutores, Propriedades óticas, Solid state physics, Optics, Semiconductors - Optical properties