Fotorefletância em pontos quânticos auto-organizados de InAs crescidos sobre GaAs e no interior de um poço quântico de In0.14Ga0.86As/GaAs

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dc.contributor.advisorDias, Ivan Frederico Lupiano [Orientador]pt_BR
dc.contributor.authorSouza, Leonardo Dias dept_BR
dc.contributor.bancaDuarte, José Leonilpt_BR
dc.contributor.bancaLourenço, Sidney Alvespt_BR
dc.contributor.coadvisorLaureto, Edson [Coorientador]pt_BR
dc.coverage.spatialLondrinapt_BR
dc.date.accessioned2024-05-01T13:52:19Z
dc.date.available2024-05-01T13:52:19Z
dc.date.created2010.00pt_BR
dc.date.defesa23.02.2010pt_BR
dc.description.abstractResumo: Neste trabalho estudamos pontos quânticos – QDs (quantum dots) de InAs auto-organizados crescidos sobre o GaAs, formando uma estrutura convencional de quantum dots, e crescidos no interior de um poço quântico de In14Ga86As/GaAs, formando uma estrutura denominada DWELL (dot-in-a-well) Utilizamos cinco amostras de QDs de InAs crescidas através da técnica de Epitaxia por Feixe Molecular – MBE (Molecular Beam Epitaxy), sendo três delas crescidas sobre o GaAs e duas crescidas no interior do poço quântico de In14Ga86As/GaAs As amostras foram crescidas através de deposição contínua e pulsada do InAs usando diferentes taxas de crescimento nas amostras crescidas por deposição contínua Para efeito de comparação foi preparada uma amostra que consiste de um poço quântico simples de In14Ga86As/GaAs com a mesma largura efetiva do poço presente nas amostras DWELL A caracterização óptica das amostras foi feita através da técnica de fotorefletância – PR (photoreflectance) no intervalo de temperatura de 12 K a 3 K Através dos espectros de PR analisamos a origem das transições observadas, a influência dos diferentes modos de crescimento sobre a energia das transições dos pontos quânticos e estimamos o tamanho dos QDs convencionaispt_BR
dc.description.abstractother1Abstract: In this work we studied self-assembled quantum dots – QDs of InAs grown on GaAs, resulting in a conventional structure of quantum dots, and grown inside a quantum well of In14Ga86As/GaAs, resulting in a structure labeled DWELL (dot-in-a-well) We utilized five QDs samples of InAs grown through Molecular Beam Epitaxy (MBE) technique, being three of them grown over GaAs and two inside of quantum well of In14Ga86As/GaAs The samples were grown through the continuous and pulsed deposition of InAs using different growth rates in the ones grown by continuous deposition In order to compare, it was prepared a sample consisting of a simple quantum well of In14Ga86As/GaAs with the same effective width of the quantum well present in the DWELL samples The optical characterization of sample was done through photoreflectance – (PR) between 12K and 3K of temperature Thru of PR spectrum we analysed the origin of the observed transitions, the influence of different ways of growth on the energy of the transitions of quantum dots and we estimated the size of conventional QDspt_BR
dc.description.notesDissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Londrina, Centro de Ciências Exatas, Programa de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.identifier.urihttps://repositorio.uel.br/handle/123456789/12335
dc.languagepor
dc.relation.coursedegreeMestradopt_BR
dc.relation.coursenameFísicapt_BR
dc.relation.departamentCentro de Ciências Exataspt_BR
dc.relation.ppgnamePrograma de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.subjectFísica quânticapt_BR
dc.subjectPontos quânticospt_BR
dc.subjectPoços quânticospt_BR
dc.subjectEpitaxia por feixe molecularpt_BR
dc.subjectQuantum physicspt_BR
dc.subjectQuantum dotspt_BR
dc.subjectQuantum wellspt_BR
dc.subjectMolecular beam epitaxypt_BR
dc.titleFotorefletância em pontos quânticos auto-organizados de InAs crescidos sobre GaAs e no interior de um poço quântico de In0.14Ga0.86As/GaAspt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR

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