Estudo das transições excitônicas em poços quânticos através da técnica de fotoluminescência

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dc.contributor.advisorDias, Ivan Frederico Lupiano [Orientador]pt_BR
dc.contributor.authorSilva, Marco Aurélio Toledo dapt_BR
dc.contributor.bancaBorrero, Pedro Pablo Gonzalespt_BR
dc.contributor.bancaDuarte, José Leonilpt_BR
dc.coverage.spatialLondrinapt_BR
dc.date.accessioned2024-05-01T12:49:04Z
dc.date.available2024-05-01T12:49:04Z
dc.date.created2006.00pt_BR
dc.date.defesa06.04.2006pt_BR
dc.description.abstractResumo: Neste trabalho investigamos, através da técnica de fotoluminescência, um conjunto poços quânticos de AlxGa1-xAs/GaAs de largura de 6 Å com concentração de alumínio x variando entre 5 e 35, preparados pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE), sobre um substrato de GaAs orientado na direção [1] Através da análise dos resultados obtidos identificamos o pico principal do espectro de fotoluminescência e analisamos seu comportamento em função da temperatura e potência de excitação Fizemos um estudo do comportamento do “gap” de energia (ou da transição excitônica) em função da temperatura (85 a 1 K) a 7 mW (potência de excitação alta o suficiente para blindar as flutuações de potencial) utilizando os modelos propostos por Viña e Pässler (tipo-p e tipo-) Comparamos os parâmetros de ajuste de Eg(T) dos poços com os resultados obtidos para o GaAs “bulk” à mesma potência de excitação e analisamos o efeito do confinamento e da variação da concentração de Al sobre os parâmetros dos diferentes modelos de ajustept_BR
dc.description.abstractother1Abstract: It was analyzed in this work, by means of the photoluminescence technique, a set of quantum wells of AlxGaAs with a width of 6A with aluminum x concentration ranging between 5 and 35, prepared by the MBE (molecular beam epitaxy) technique, on a GaAs substrate guided in the [1] direction Through the analysis of the obtained results the main peak of the photoluminescence spectrum was identified, and its behavior was analyzed in terms of temperature and excitation power A study of the gap of energy behavior (or the excitonic transition) due to the temperature (85 to 1 K) at 7 mW (excitation power high enough to protect the fluctuation of the potential) was carried out, using the models proposed by Viña and Passler (type-p and type-p) The Eg(T) adjustment parameters of the wells were compared with the results obtained for the bulk GaAs to the same excitation power, and the confinement and variation effect of the Al concentration on the parameters of the different models of adjustment were analyzedpt_BR
dc.description.notesDissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Londrina, Centro de Ciências Exatas, Programa de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.identifier.urihttps://repositorio.uel.br/handle/123456789/10774
dc.languagepor
dc.relation.coursedegreeMestradopt_BR
dc.relation.coursenameFísicapt_BR
dc.relation.departamentCentro de Ciências Exataspt_BR
dc.relation.ppgnamePrograma de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.subjectFísica da matéria condensadapt_BR
dc.subjectPoços quânticospt_BR
dc.subjectFotoluminescênciapt_BR
dc.subjectEspectroscopia de luminescênciapt_BR
dc.subjectCondensed matterpt_BR
dc.subjectQuantum wellspt_BR
dc.subjectPhotoluminescencept_BR
dc.titleEstudo das transições excitônicas em poços quânticos através da técnica de fotoluminescênciapt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR

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