Estudo das propriedades ópticas e elétricas de filmes finos de seleneto de cobre obtidos por "banho químico"
dataload.collectionmapped | 02 - Mestrado - Física | pt_BR |
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dc.contributor.advisor | Urbano, Alexandre [Orientador] | pt_BR |
dc.contributor.author | Yamanishi, Gustavo | pt_BR |
dc.contributor.banca | Laureto, Edson | pt_BR |
dc.contributor.banca | Silva, Marco Aurélio Toledo da | pt_BR |
dc.coverage.spatial | Londrina | pt_BR |
dc.date.accessioned | 2024-05-01T15:13:38Z | |
dc.date.available | 2024-05-01T15:13:38Z | |
dc.date.created | 2018.00 | pt_BR |
dc.date.defesa | 02.02.2018 | pt_BR |
dc.description.abstract | Resumo: O seleneto de cobre é um semicondutor tipo p com características energéticas adequadas para aplicações em dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos de filmes finos Na literatura encontram-se poucos trabalhos que utilizam o planejamento de experimentos com a finalidade de otimização dos parâmetros de síntese de filmes finos assim como são raras a aplicação de filmes finos de seleneto de cobre em diodos orgânicos emissores de luz (OLED) Com o objetivo de se investigar a otimização das propriedades ópticas e elétricas de filmes finos de seleneto de cobre, obtidos pela técnica de banho químico neste trabalho delineou-se um planejamento fatorial 23 com ponto central em triplicata, para estudar a influência dos parâmetros de síntese nas respostas de transmitância e resistividade As variáveis escolhidas foram concentração da solução de selenossulfato de sódio, tempo de reação e espessura dos filmes As respostas analisadas foram resistividade de superfície, transmitância e refletância óptica, energia de gap, estrutura cristalina, espessura e composição elementar Construíram-se OLEDs com a deposição de MDMO-PPV e alumínio sobre os filmes finos de seleneto de cobre, a fim de se avaliar a integração dos filmes ao processo de eletroluminescência Os filmes de seleneto de cobre produzidos apresentaram resistividade de superfície entre 3,49 e 853,59 O/? e transmitância óptica entre 11,93 e 49,5% para a faixa de comprimento de onda entre 574 a 584 nm O planejamento indicou claramente que quanto maior a transmitância maior a resistividade elétrica e vice-versa Os filmes apresentaram-se amorfos e compostos por átomos de cobre e selênio isentos de contaminantes A energia de gap média dos filmes foi de 2,8 eV sendo que apenas os dispositivos produzidos com filmes finos de seleneto de cobre com as configurações +++, +-- e contribuíram para a promoção da eletroluminescência na camada de MDMOPPV Destes resultados pode-se concluir que as propriedades físicas dos filmes são fortemente dependentes dos parâmetros de síntese e que, sendo as grandezas de transmitância e resistividade diretamente proporcionais, deve-se optar pela configuração que atenda à aplicação desejada | pt_BR |
dc.description.abstractother1 | Abstract: The copper selenide is a p-type semiconductor with energy characteristics suitable for applications in electronic and optoelectronic thin film devices In the literature, there are few papers that use the desing of experiments with the purpose of optimizing thin film synthesis parameters, as well as the application of copper selenide thin films in organic light emitting diodes (OLED)In order to investigate the optimization of the optical and electrical properties of thin films of copper selenide thin films obtained by the chemical bath technique, a 23 factorial design in triplicate with a central point was delineated to study the influence of the parameters of synthesis in the transmittance and resistivity responses The selected variables were concentration of sodium selenosulfate solution, reaction time and film thickness The analyzed responses were surface resistivity, optical transmittance and reflectance, gap energy, crystalline structure, thickness and elemental composition OLEDs were constructed with the deposition of MDMO-PPV and aluminum on the copper selenide thin films, in order to evaluate the integration of the films into the electroluminescence process The produced copper selenide films presented surface resistivity between 349 and 85359 O/? and optical transmittance between 1193 and 495% for the wavelength range between 574 and 584 nm The design clearly indicated that the higher the transmittance the greater the electrical resistivity and vice versa The films were amorphous and composed of copper and selenium atoms free of contaminants The mean energy gap of the films was 28 eV and only devices produced with thin films of copper selenide with +++, +-- and configurations resulted in electroluminescence in the MDMO-PPV layer From these results can be concluded that the physical properties of the films are strongly dependent on the synthesis parameters and that, being the values of transmittance and resistivity directly proportional, one must choose the configuration that meets the desired application | pt_BR |
dc.description.notes | Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Londrina, Centro de Ciências Exatas, Programa de Pós-Graduação em Física | pt_BR |
dc.identifier.uri | https://repositorio.uel.br/handle/123456789/16673 | |
dc.language | por | |
dc.relation.coursedegree | Mestrado | pt_BR |
dc.relation.coursename | Física | pt_BR |
dc.relation.departament | Centro de Ciências Exatas | pt_BR |
dc.relation.ppgname | Programa de Pós-Graduação em Física | pt_BR |
dc.subject | Filmes finos | pt_BR |
dc.subject | Propriedades óticas | pt_BR |
dc.subject | Filmes finos | pt_BR |
dc.subject | Propriedades elétricas | pt_BR |
dc.subject | Diodos emissores de luz | pt_BR |
dc.subject | Optical properties | pt_BR |
dc.subject | Electric properties | pt_BR |
dc.subject | Light emitting diodes | pt_BR |
dc.subject | Physics | pt_BR |
dc.subject | Copper selenide | pt_BR |
dc.subject | Thin films | pt_BR |
dc.title | Estudo das propriedades ópticas e elétricas de filmes finos de seleneto de cobre obtidos por "banho químico" | pt_BR |
dc.type | Dissertação | pt_BR |
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