Navegando por Autor "Franchello, Flavio"
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Item Estudo das propriedades ópticas e dos processos fotofísicos em blendas poliméricas de PFO-DMP:P3HTFranchello, Flavio; Duarte, José Leonil [Orientador]; Laureto, Edson; Lourenço, Sidney Alves; Cury, Luiz Alberto; Alves, NeryResumo: As propriedades ópticas e morfológicas e os processos fotofísicos em blendas de PFO-DMP:P3HT, com diferentes concentrações de P3HT (5, 1 e 2%), foram investigadas utilizando as seguintes técnicas experimentais: absorção UV-Vis, fotoluminescência, elipsometria de emissão, medida de tempo de vida de fluorescência e microscopia confocal de fluorescência No espectro de fotoluminescência das blendas, quando as moléculas doadoras são excitadas, foi observada a emissão do PFO-DMP (doador) e do P3HT (aceitador), e também uma banda com energia intermediária à emissão de cada um dos polímeros Essa banda de energia intermediaria foi atribuída à emissão do exciplex (por transferência de carga) formado na interface dos domínios de PFO-DMP e P3HT Para explicar a possibilidade de formação inesperada do exciplex em uma interface do tipo I, foi proposto um modelo que considera a formação de uma barreira de potencial em uma das bandas de energia na interface doador/aceitador Essa barreira de potencial poderia quebrar o exciton formado no lado do doador, aprisionado um dos portadores, permitindo assim a formação do exciplex Essa barreira poderia surgir através do entortamento das bandas na interface, como é comumente observado em materiais inorgânicos Essa hipótese do entortamento de banda é consistente com o que foi observado em trabalhos recentes que relatam esse fenômeno em interfaces orgânica/orgânica Esse modelo é consistente com todas as medidas e análises realizadas, permitindo assim uma explicação para as mudanças dos parâmetros fotofísicos acarretados pela variação da concentração de P3HT na blenda Além disso, a emissão total obtida, que consiste na emissão do PFO-DMP, P3HT e da banda atribuída ao exciplex, cobre toda a região espectral do visível, o que torna essas blendas candidatas a investigações de aplicação em OLEDs brancos para iluminaçãoItem Estudo de pontos quânticos auto-organizados de InAs por fotoluminescênciaFranchello, Flavio; Duarte, José Leonil [Orientador]; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Oliveira, José Brás Barreto de; Laureto, Edson [Coorientador]Resumo: Estruturas semicondutoras com alto grau de confinamento, tais como poços quânticos, fios quânticos e pontos quânticos, têm sido de grande interesse, tanto do ponto de vista tecnológico, quanto da pesquisa básica Pontos Quânticos Auto-Organizados ou SAQDs (do Inglês “Self-Assembled Quantum Dots”) surgem espontaneamente, como conseqüência do descasamento de rede do material depositado em relação ao substrato, durante o crescimento por MBE Neste trabalho foram estudadas amostras de Pontos Quânticos através da técnica da fotoluminescência (PL) com variação de temperatura e de potência de excitação Foram estudadas amostras de SAQDs de InAs, crescidos sobre o GaAs Também foram crescidos “dots” no interior de um poço quântico de InGaAs (14% de In), sendo esse tipo de heteroestrutura denominada DWELL (dots-in-a-well) As estruturas de QDs foram produzidas através do crescimento contínuo (com diferentes taxas de deposição) e também através de crescimento pulsado, que consiste em ciclos de deposição e intervalo de interrupção Através da análise dos espectros de PL foi verificado que algumas das amostras de QDs apresentam um comportamento anômalo da energia de PL, da intensidade integrada, e da largura de linha, em função da temperatura, o que pode ser explicado considerando-se as distribuições de tamanho dos “dots” Em duas amostras de QDs crescidos sobre o GaAs foram identificados dois picos de PL que apresentam um comportamento com a temperatura que pode ser explicado considerando-se uma distribuição bimodal de tamanhos Para as amostras DWELL foi identificado um pico de PL, atribuído à emissão do estado fundamental de QDs pertencentes à uma distribuição contínua de tamanhos