Dias, Ivan Frederico Lupiano [Orientador]Silva, Marco Aurélio Toledo da2024-05-012024-05-012006.00https://repositorio.uel.br/handle/123456789/10774Resumo: Neste trabalho investigamos, através da técnica de fotoluminescência, um conjunto poços quânticos de AlxGa1-xAs/GaAs de largura de 6 Å com concentração de alumínio x variando entre 5 e 35, preparados pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE), sobre um substrato de GaAs orientado na direção [1] Através da análise dos resultados obtidos identificamos o pico principal do espectro de fotoluminescência e analisamos seu comportamento em função da temperatura e potência de excitação Fizemos um estudo do comportamento do “gap” de energia (ou da transição excitônica) em função da temperatura (85 a 1 K) a 7 mW (potência de excitação alta o suficiente para blindar as flutuações de potencial) utilizando os modelos propostos por Viña e Pässler (tipo-p e tipo-) Comparamos os parâmetros de ajuste de Eg(T) dos poços com os resultados obtidos para o GaAs “bulk” à mesma potência de excitação e analisamos o efeito do confinamento e da variação da concentração de Al sobre os parâmetros dos diferentes modelos de ajusteFísica da matéria condensadaPoços quânticosFotoluminescênciaEspectroscopia de luminescênciaCondensed matterQuantum wellsPhotoluminescenceDissertação